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联系人:何先生 用一个数字万用表搭在电容两端先充电然后开路量测电压掉下来的速度因为电容是开路的会耗电的就是漏电流了如果你量测出电压跟时间的曲线就可以反推出漏电流了记得用好一点的数字万用表，因为万用表本身的输入阻抗再大也是有限的，如果是质量较好的电容漏电流本来就不大，那么输入阻抗稍小的数字万用表就不准了。根据经验，在高频电路,开关电源电路有很多小电容是普通万用表无法正确判断出好坏的，有的电容量还有可能出现增加的可能。强烈建议用专用数字电容表测量。 准确测量电感线圈的电感量L和品质因数Q,可以使用万用表或LCR设备专门量测电感的感值, 采用数字万用表来检测可以检测电感是否开路或局部短路，以及电感量的相对大小可以用万用表作出粗略检测和判断，如果要量测必须采用LCR设备量测.检测电感时先进行外观检查，看线圈有无松散，引脚有无折断,线圈是否烧毁或外壳是否烧焦等现象，若有上述现象，则表明电感已经损坏.用万用表的欧姆挡测线圈的直流电阻，电感的直流电阻值一般很小，匝数多线经细的线圈能达几十欧：对于有抽头的线圈，各引脚之间的阻值均很小，仅有几欧姆左右，若用万用表RX1Ω挡测线圈的直流电阻，阻什无穷大说明线圈或引出线间已经开路损坏，阻值比正常值小很多，则说明有局部短路：阻值为零，说明线圈完全短路 磁珠的主要原料为铁氧体。铁氧体是一种立方晶格结构的亚铁磁性材料。铁氧体材料为铁镁合金或铁镍合金，它的制造工艺和机械性能与陶瓷相似，颜色为灰黑色。电磁干扰滤波器中经常使用的一类磁芯就是铁氧体材料，许多厂商都提供专门用于电磁干扰抑制的铁氧体材料。这种材料的特点是高频损耗非常大，具有很高的导磁率，他可以是电感的线圈绕组之间在高频高阻的情况下产生的电容。对于抑制电磁干扰用的铁氧体，重要的性能参数为磁导率μ和饱和磁通密度Bs。磁导率μ可以表示为复数，实数部分构成电感，虚数部分代表损耗，随着频率的增加而增加。因此，它的等效电路为由电感L和电阻R组成的串联电路，L和R都是频率的函数。当导线穿过这种铁氧体磁芯时，所构成的电感阻抗在形式上是随着频率的升高而增加，但是在不同频率时其机理是完全不同的。 在低频段，阻抗由电感的感抗构成，低频时R很小，磁芯的磁导率较高，因此电感量较大，L起主要作用，电磁干扰被反射而受到抑制，并且这时磁芯的损耗较小，整个器件是一个低损耗、高Q特性的电感，这种电感容易造成谐振因此在低频段，有时可能出现使用铁氧体磁珠后干扰增强的现象。 在高频段，阻抗由电阻成分构成，随着频率升高，磁芯的磁导率降低，导致电感的电感量减小，感抗成分减小 但是，这时磁芯的损耗增加，电阻成分增加，导致总的阻抗增加，当高频信号通过铁氧体时，电磁干扰被吸收并转换成热能的形式耗散掉。 磁珠和电感在解决EMI和EMC方面各与什么作用，首先我们来看看磁珠和电感的区别，电感是闭合回路的一种属性，多用于电源滤波回路，而磁珠主要多 用于信号回路，用于EMC对策磁珠主要用于抑制电磁辐射干扰，而电感用于这方面则侧重于抑制传导性干扰。磁珠是用来吸收超高频信号，象一些RF电 路，PLL,振荡电路，含超高频存储器电路(DDR SDRAM,RAMBUS等)都需要在电源输入部分加磁珠，两者都可用于处理EMC、EMI问题。 磁珠和电感在解决EMI和EMC方面各与什么作用，首先我们来看看磁珠和电感的区别，电感是闭合回路的一种属性，多用于电源滤波回路，而磁珠主要多 用于信号回路，用于EMC对策磁珠主要用于抑制电磁辐射干扰，而电感用于这方面则侧重于抑制传导性干扰。磁珠是用来吸收超高频信号，象一些RF电 路，PLL,振荡电路，含超高频存储器电路(DDR SDRAM,RAMBUS等)都需要在电源输入部分加磁珠，两者都可用于处理EMC、EMI问题。 磁珠和电感在EMI和EMC电路中关键是是对高频传导干扰信号进行抑制，也有抑制电感的作用。但从原理方面来看，磁珠可等效成一个电感，等于还是存在一定的 区别，区别在于电感线圈有分布电容。因此，电感线圈就相当于一个电感与一个分布电容并联。如图1所示。图1中，LX为电感线圈的等效电感(理想电 感)，RX为线圈的等效电阻，CX为电感的分布电容。理论上对传导干扰信号进行抑制，要求抑制电感的电感量越大越好，但对于电感线圈来说，电感量越大，则电感线圈的分布电容也越大，两者的作用将会互相抵消。 是普通电感线圈的阻抗与频率的关系图，由图中可以看出，电感线圈的阻抗开始的时候是随着频率升高而增大的，但当它的阻抗增大到值以后，阻抗反而随着 频率升高而迅速下降，这是因为并联分布电容的作用。当阻抗增到值的地方，就是电感线圈的分布电容与等效电感产生并联谐振的地方。图中，L1 > L2 > L3,由此可知电感线圈的电感量越大，其谐振频率就越低。从图2中可以看出，如果要对频率为1MHZ的干扰信号进行抑制，选用L1倒不如选用L3,因为 L3的电感量要比L1小十几倍，因此L3的成本也要比L1低很多。